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586 次5 月 23 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 顧問、前任 CTO 馬丁?范登布林克（Martin van den Brink）近日稱，這家光刻機制造商考慮推出一個通用 EUV 光刻平臺。
范登布林克在本月 21~22 日舉行的 2024 年度 imec ITF World 技術論壇上表示：
我們提出了一個長期（也許十年）的路線圖：我們將擁有一個包含 Low NA（0.33NA）、High NA（0.55NA）和 Hyper NA（預計為 0.7NA 以上） EUV 系統(tǒng)的單一平臺。
根據(jù)瑞利判據(jù)公式，更高的數(shù)值孔徑意味著更好的光刻分辨率。
范登布林克表示，未來的 Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產(chǎn)流程，規(guī)避通過 High NA 光刻機雙重圖案化實現(xiàn)同等精度帶來的額外步驟與風險。
多種 EUV 光刻機共用一個基礎平臺，在降低開發(fā)成本的同時，也便于將 Hyper-NA 機臺的技術改進向后移植到數(shù)值孔徑更低的光刻機上。
根據(jù) IT 之家此前報道，ASML 最新的 0.33NA EUV 光刻機 —— NXE:3800E 就導入了為 High NA 光刻機開發(fā)的快速載物臺移動系統(tǒng)。
▲ 馬丁?范登布林克像。圖源 imec 官方領英賬戶動態(tài)
此外，ASML 還計劃將其 DUV 和 EUV 光刻機的晶圓吞吐量從目前的每小時 200~300 片增加到每小時 400~500 片，從而提升單臺光刻機的生產(chǎn)效率，在另一個側面降低行業(yè)成本。
在演講中范登布林克還提到：" 當前人工智能的發(fā)展趨勢表明，消費者對多種應用有著強烈的需求。而限制需求的因素包括能耗、計算能力和所需的海量數(shù)據(jù)集。"
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發(fā)布日期: 2024-08-22
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