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中國(guó)作為全球最大的新能源汽車市場(chǎng),車規(guī)功率半導(dǎo)體需求強(qiáng)勁,電動(dòng)化與高壓化是兩大重要推動(dòng)力。功率半導(dǎo)體的具體應(yīng)用場(chǎng)景已經(jīng)從燃油車時(shí)代的輔助驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)單一場(chǎng)景不斷向牽引逆變器、OBC、高低壓輔助驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、DC/DC模塊、充電樁等多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域拓展。在過(guò)去相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間里,全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要被英飛凌、安森美、
功率半導(dǎo)體器件,特別是絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT),它一直是新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用、家用電器等應(yīng)用的核心硅基IGBT由于驅(qū)動(dòng)功率低,飽和壓降低,設(shè)備具有高電壓等級(jí)(高達(dá)6500)V)高達(dá)3600A)成為各個(gè)領(lǐng)域的中流砥柱(1)、高功率密度和高開關(guān)頻率是實(shí)現(xiàn)電力電子設(shè)備小型化和未來(lái)