臺(tái)積電在5月中旬舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì)上透露，隨著在德國(guó)和日本新建晶圓廠以及在中國(guó)臺(tái)灣擴(kuò)大產(chǎn)能，臺(tái)積電計(jì)劃到2027年將其特種工藝制程產(chǎn)能擴(kuò)大50%。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，臺(tái)積電不僅需要轉(zhuǎn)換現(xiàn)有產(chǎn)能，還需要為此新建晶圓廠。臺(tái)積電同時(shí)公布下一個(gè)特殊制程節(jié)點(diǎn)：N4e，一種4nm級(jí)超低功耗工藝節(jié)點(diǎn)。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展暨海外運(yùn)營(yíng)處副總裁張曉強(qiáng)（Kevin Zhang）表示，“過(guò)去臺(tái)積電總是對(duì)即將建成的晶圓廠進(jìn)行預(yù)先審查再?zèng)Q定，但臺(tái)積電很長(zhǎng)一段時(shí)間以來(lái)，第一次一開始就決定興建專為將來(lái)特殊工藝設(shè)計(jì)的晶圓廠，以滿足未來(lái)需求。未來(lái)4~5年，臺(tái)積電特殊工藝產(chǎn)能將增長(zhǎng)至1.5倍，我們將擴(kuò)大制造網(wǎng)絡(luò)的覆蓋范圍，以提高整個(gè)晶圓廠供應(yīng)鏈的彈性?！?/p>

據(jù)悉，臺(tái)積電除了用于制造邏輯芯片N5、N3E等眾多節(jié)點(diǎn)，還為功率半導(dǎo)體、混合模擬I/O芯片和超低功耗應(yīng)用（如物聯(lián)網(wǎng)）等應(yīng)用提供一系列專用節(jié)點(diǎn)，這些工藝通常使用較成熟制程。

臺(tái)積電近年來(lái)擴(kuò)張戰(zhàn)略的幾個(gè)目標(biāo)，包括在中國(guó)臺(tái)灣以外地區(qū)設(shè)立新的晶圓廠，以及全面擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足未來(lái)對(duì)各種工藝技術(shù)的需求。

據(jù)了解，截至目前，臺(tái)積電最先進(jìn)的專用節(jié)點(diǎn)是N6e，即N7/N6的變體，支持0.4V、0.9V工作電壓。隨著N4e節(jié)點(diǎn)的推出，臺(tái)積電正在研究低于0.4V的電壓。臺(tái)積電目前尚未透露關(guān)于新節(jié)點(diǎn)的更詳細(xì)信息，預(yù)計(jì)明年將會(huì)有更多消息。