信越推出新型后端制造設備可直接實現(xiàn)HBM內(nèi)存2.5D集成
發(fā)布日期:2024-07-14

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7 月 11 日消息,日本信越化學 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導體后端制造設備,可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案。

▲ 蝕刻圖案
這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層(Interposer),在大大降低生產(chǎn)成本的同時也縮短了先進封裝流程。

▲ 2.5D 集成結(jié)構對比
信越表示,該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線,無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案,達到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細度。
結(jié)合信越化學開發(fā)的光掩模坯和特殊鏡頭,新型激光后端制造設備可一次性加工 100mm 見方或更大的區(qū)域。
根據(jù)《日經(jīng)新聞》報道,信越化學目標 2028 年量產(chǎn)這款設備,力爭實現(xiàn) 200~300 億日元(IT之家備注:當前約 9.02 ~ 13.53 億元人民幣)相關年銷售額。
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