在電子學的發(fā)展歷程中，硅材料一直占據著主導地位，但隨著摩爾定律的不斷發(fā)展，硅基材料的物理極限逐漸顯現。今天，我們站在了一次工業(yè)變革的門檻上，各種材料被各界競相探索，SiC和GaN等這樣的寬禁帶半導體材料是成功的案例之一。最近的熱門是石墨烯。

自2004年被曼徹斯特大學切爾諾戈洛夫卡微電子研究所的兩位教授發(fā)現以來，石墨烯一直被譽為神奇的材料。石墨烯這種由單層碳原子構成的二維材料有三大優(yōu)良特性：1）無比堅固，石墨烯的強度是鋼的200倍以上；2）載流子遷移率極高；3）導熱率極高，這意味著石墨烯可以有效地散熱，防止電子器件過熱。對于電子行業(yè)而言，看起來石墨烯是一個優(yōu)良無比的材料，但是石墨烯是一種無帶隙材料，缺乏用于開關晶體管的關鍵特性。因此在過去的20年里，人們一直在努力在石墨烯中“打開一個帶隙”，這是石墨烯商業(yè)化應用之前首要解決的難題。

石墨烯是2004年在一塊石墨上使用透明膠帶發(fā)現的

佐治亞理工學院的物理學教授沃爾特·德·希爾(Walter de Heer)及天津大學馬雷教授團隊的最新研究讓石墨烯成功有了帶隙，為石墨烯在半導體領域的應用開啟了新的可能性。通過在SiC上的生長過程中施加特定的限制，他們成功展示了生長在單晶硅碳化物襯底上的半導體外延石墨烯（SEG）具有0.6 eV的帶隙，并且室溫遷移率超過5000 cm2V?1s?1，是硅的10倍，是其他二維半導體的20倍。證明了石墨烯的效率更高，允許電子以更快的速度穿過。更形象的說，這就好比“車子在碎石路上行駛與在高速公路上行駛一樣”。這一成就為石墨烯在半導體領域的應用開辟了新的可能性。

他們的研究于1月3日發(fā)表在了《自然》上（圖片來源：克里斯托弗·麥肯尼/佐治亞理工學院）

石墨烯的“帶隙”之旅

那么，石墨烯究竟是如何有了帶隙的呢？

石墨烯帶隙的打開主要有兩種方式：一種是納米帶方法，這種方法是將石墨烯切割或塑造成極其細小的納米帶。通過納米加工技術，現在可以以接近原子級的精度制造石墨烯納米帶。在這些納米帶中，由于量子限制效應，電子被限制在一個維度上活動，從而導致帶隙的打開。這種方法的挑戰(zhàn)在于制造過程的復雜性和樣品間的變異性，這使得在大規(guī)模生產上存在困難，尤其是在滿足消費電子產品需求的規(guī)模上；另一種是基底相互作用法，它是利用石墨烯與其生長基底之間的相互作用來創(chuàng)建帶隙。這種方法通常涉及選擇特定的基底材料和調整生長條件，以改變石墨烯的電子性質。

佐治亞理工學院的物理學教授沃爾特·德·希爾(Walter de Heer)及天津大學馬雷教授團隊所采用的方法正是第二種。

他們的工作專注于在碳化硅（SiC）上生長石墨烯“緩沖層”。其實，早在2008年人們就已經知道在SiC上形成的石墨烯緩沖層可能是半導體，但獲得晶圓級樣品一直是一個挑戰(zhàn)。

它們通過加熱半導體材料碳化硅（SiC），待表面的硅原子從SiC晶體表面升華后，會留下一個富含碳的層，豐富的碳表明可以重新結晶生成具有石墨烯結構的多層。也就是說這是在SiC晶體上自發(fā)形成的石墨烯。他們中的部分與SiC表面共價鍵合，這個緩沖層的光譜測量表現出半導體特征。

問題來了，這個自發(fā)形成的石墨烯外延層與SiC基底的鍵合是無序的，導致了其遷移率極低，僅為1 cm2V?1s?1，與其他具有室溫遷移率高達300 cm2V?1s?1的二維半導體相比較差得太遠。

于是，該研究團隊采用了一種準平衡退火方法：如下圖b所示，通過將兩個SiC芯片夾在一起，使得上層芯片的硅面與下層芯片的碳面相對，創(chuàng)造了一個受控環(huán)境，他們稱之為是“三明治法”，這樣可以抑制石墨烯的生長。在1 bar的超純氬氣中，溫度約1600°C，可以生長出均勻覆蓋有緩沖層的大型原子級平坦臺地。結果是SEG晶格不僅能與SiC基底對齊，而且它在化學、機械和熱方面都非常穩(wěn)定，可通過傳統(tǒng)半導體制造技術進行圖案化，并與半金屬外延石墨烯無縫連接。這些基本屬性使得SEG適用于納米電子學。

外延石墨烯（SEG）的生產過程：a，一個封閉的圓柱形石墨坩堝內裝有兩塊3.5毫米×4.5毫米的硅碳化物（SiC）芯片，坩堝通過石英管內的一個漏洞供應。坩堝由無線電頻率源引起的渦流加熱。b，兩個芯片堆疊，底部芯片（源）的碳（C）面朝向頂部芯片（種晶）的硅（Si）面。在高溫下，芯片之間的輕微溫差導致從底部芯片到頂部芯片的凈質量流動，從而在種晶芯片上通過階梯流生長出大型臺地，并在其上生長出均勻的SEG薄膜。

SEG的生長又分為三個階段。在第一階段，芯片在真空中加熱至900°C大約25分鐘，這個過程的目的是清潔芯片表面，去除可能影響后續(xù)生長過程的雜質或殘留物；第二階段，樣品的溫度被提高到1300°C，同樣持續(xù)大約25分鐘，但這次是在1 bar的氬氣環(huán)境中。這個溫度和環(huán)境的組合促使形成規(guī)則排列的雙層硅碳化物（SiC）階梯和大約0.2微米寬的臺地。這些臺地是后續(xù)SEG生長的基礎；第三階段，生長環(huán)境的溫度進一步提升至1600°C，同樣在1 bar的氬氣中。這個高溫階段導致所謂的“階梯聚集”和“階梯流”，最終形成了大型的原子級平坦臺地。在這些臺地上，在C面（碳面）和Si面（硅面）之間形成的準平衡條件下，SEG的緩沖層得以生長。

外延石墨烯（SEG）的生產過程的三個階段

最終，他們的研究取得了顯著的進展，成功在SiC上形成了一層帶隙約0.6電子伏的石墨烯緩沖層，這大約是硅（1.1 eV）的一半，接近鍺（0.65 eV），且比SiC（3eV）的帶隙窄得多。據佐治亞理工學院博客稱，他們完善這種材料花了十年時間。

外延石墨烯的發(fā)現不僅對于石墨烯的應用范圍是一大突破，可能會引起電子領域的范式轉變。但是需要明確的是，石墨烯不是要取代硅材料，而是很大可能作為一個輔助材料。石墨烯緩沖層的這一突破為“超越硅”的技術提供了新的動力，特別是在寬帶隙和超寬帶隙半導體領域，如電動汽車的電力電子以及航天器電子產品，SiC基底的應用潛力被進一步擴展。同時，這也推動了對于在SiC上集成不同功能設備，如傳感器和計算邏輯組件的深入研究，這對于可再生能源的發(fā)展及其不穩(wěn)定輸入的管理至關重要。

石墨烯的未來：有鮮花也有荊棘

石墨烯的卓越特性其實早就引起了許多大公司的關注，紛紛投入資源進行石墨烯領域的探索。特別是在石墨烯電池研究方面，它被視為理想的“超級電容器”材料。這種超級電容器能像傳統(tǒng)電池一樣存儲電流，但其充放電速度快得驚人。三星、華為和LG電子等公司已在石墨烯電池技術上有所布局。最近，韓國媒體報道稱，三星電子和LG電子正加速開發(fā)基于石墨烯的組件，旨在提升半導體和家電產品的耐用性與能源效率。

三星高級技術學院（SAIT）早在2017年便宣布推出名為“石墨烯球”的創(chuàng)新電池材料，這種材料顯示出相比標準鋰離子電池45%的增加存儲容量和5倍的快速充電能力。然而，自那以后，關于這項技術的進展鮮有報道。據IDTechEx的主管Khasha Ghaffarzadeh指出，盡管三星取得了一些引人注目的成果，但距離實現商業(yè)化仍有相當長的路要走。

相信隨著此次石墨烯外延半導體（SEG）的新進展，預計會吸引更多半導體領域的公司加入這一行列。從增強復合材料到革命性的能源存儲解決方案，石墨烯展現出能夠重塑未來技術和產業(yè)的潛力。不過，需要注意的是，石墨烯從實驗室到商業(yè)化生產的過渡仍面臨多個關鍵挑戰(zhàn)：

高初始資本需求：石墨烯的生產通常需要昂貴的設備和技術，這對于大多數初創(chuàng)企業(yè)來說是一個重大負擔。這些企業(yè)可能難以獲得足夠的資金來支持這種規(guī)模的生產。

技術和市場不確定性：雖然石墨烯的潛力巨大，但它的商業(yè)應用仍然處于起步階段。這種不確定性可能會使大公司猶豫不決，它們通常更傾向于投資于已被證實具有穩(wěn)定回報的技術和市場。

規(guī)?；a的挑戰(zhàn)：盡管在實驗室中可以制造高質量的石墨烯，但將這些過程擴展到工業(yè)規(guī)模仍然是一個技術挑戰(zhàn)。保持質量的同時大規(guī)模生產石墨烯，需要解決許多工程和材料學問題。

投資回報周期：對于大型企業(yè)來說，石墨烯投資的回報可能需要較長時間才能顯現，這與它們通常期望的快速回報周期不符。

盡管面臨許多挑戰(zhàn)，此次石墨烯緩沖層的成功生長不僅標志著石墨烯材料自身的一個重大突破，也為我們在半導體材料的未來應用中打開了一扇窗。